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邵淑英; 范正修; 邵建达;
中科院上海光学精密机械研究所,光学薄膜技术研究与发展中心,上海,201800;
中国科学院研究生院,北京,100864;
ZrO2/SiO2多层膜; 残余应力; 膜厚组合周期数;
机译:通过光热转换效应进行不透明的多层膜厚测量技术(第二次报告):通过声阻抗界面之间的共振模式分析进行的多层膜厚测量技术
机译:热处理后沉积的SIO2表面上的山AC酸朗格缪尔-布洛盖特单体和多层膜的X射线反射率研究-基质/膜相互作用对分子有序化和膜拓扑的影响
机译:YSZ / SiO2多层膜不同调制比下残余应力和结构的演变
机译:紫外线辐照制备溶胶-凝胶ZrO2 / SiO2多层膜
机译:钇(1)钡(2)铜(3)氧(7-x)超导体薄膜中的膜-基底相互作用,沉积在氧化物和碱土金属氟化物基底上。
机译:基底外侧膜Na + / H +交换增强了大鼠髓质厚上升肢中HCO3-的吸收:基底外侧膜与顶膜Na + / H +交换子之间功能耦合的证据。
机译:TiO2 / siO2和ZrO2 / siO2多层介质膜光损耗和激光损伤研究
机译:膜形成材料,用于光刻的膜形成组合物,用于光学成分形成的材料,抗蚀剂组合物,抗蚀剂图案形成方法,用于抗蚀剂的永久膜,辐射敏感组合物,用于制造非晶膜,膜的材料,基底膜用于光刻的底层膜形成,用于光刻的底层膜的制造方法以及电路图案形成方法
机译:使用封闭式公式和反射椭偏法确定吸收介质中吸收膜吸收基底系统的基底光学常数和膜厚的方法和智能设备
机译:导电陶瓷材料SiO2 / ZrO2 / C-石墨的制备工艺和导电陶瓷材料SiO2 / ZrO2 / C-石墨的制备工艺
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