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刘志文; 谷建峰; 孙成伟; 张庆瑜;
大连理工大学三束材料改性国家重点实验室,大连,116024;
ZnO薄膜; 磁控溅射; 生长动力学; 成核机制;
机译:射频反应磁控溅射制备ZnO薄膜的晶粒生长行为,表面形貌演变,结构和光学性质
机译:铝掺杂对反应性射频磁控溅射生长ZnO薄膜表面形貌的影响
机译:射频磁控溅射在熔融石英衬底上形成的氮掺杂ZnO薄膜的表面形貌和光学性质
机译:直流磁控溅射法在不同衬底上沉积掺锂的ZnO薄膜的光学性质和表面形貌
机译:使用不平衡磁控溅射制造适用于薄膜晶体管的掺镓ZNO薄膜。
机译:射频磁控溅射制备(MgAl)共掺杂ZnO薄膜的光电性能研究与研究
机译:具有混合N2 / H2生长GaN势垒的InGaN / GaN多量子阱的表面形貌演化机制
机译:成核和泡沫动力学研究,以评估VOID关闭机制IN主持的异构水反应堆
机译:磁控溅射法掺杂金属的ZnO薄膜的方法
机译:ZnO和掺杂的ZnO薄膜成核的种子层及种子层沉积方法
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