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许桂贵; 吴青云; 张健敏; 陈志高; 黄志高;
福建师范大学物理与光电信息科技学院,福州,350007;
表面吸附; 密度泛函理论; 吸附能; 功函数;
机译:氧和氢在Pt(111)和Pt-ML / Pd(111)表面上吸附的第一性原理研究
机译:原子和分子氧在3C-SiC(111)和(111)表面上的吸附:第一性原理研究
机译:H2S在单金属和单层双金属Ni / Pd(111)表面上的吸附和解离:第一性原理研究
机译:原子和分子氧在3C-SiC(111)和((111))表面上的吸附:第一性原理研究
机译:分子氧在Ru(001)上的吸附动力学和动力学,以及气相原子氧在预先覆盖的Pt(111)Ir(111)和Ru(001)表面上的反应动力学。
机译:石墨烯插层对HfO2介电可靠性的影响以及Ni / Gr / c-HfO2界面有效功函数的调制:第一性原理研究
机译:吸附在au(111)和au(110)表面上的醇盐的第一性原理研究:评估非共价相互作用和分子结构在催化中的作用
机译:通过不同类型的吸附位置的表面上的化学吸附产生的功函数变化
机译:半导体结构,双功函数的CMOS器件,双功函数的CMOS电路以及在基板上形成双功函数的CMOS器件的方法(碳化物金属栅极结构和形成方法)
机译:半导体结构,在双功函数的CMOS器件上形成双功函数的CMOS器件的方法,CMOS电路和双功函数的基板(碳化金属栅极结构和形成方法)
机译:用于n-MOSFET的掺杂Yb的Ni全硅化低功函数栅电极的形成方法
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