氢稀释对高速生长纳米晶硅薄膜晶化特性的影响

摘要

以SiH4与H2为气源,采用射频等离子体增强化学气相沉积技术,在较高的压强(230 Pa)下,研究氢稀释率对纳米晶硅薄膜的生长速率和晶化特性的影响.实验表明,薄膜的晶化率,晶粒尺寸随着氢稀释率的提高而增加,当氢稀释率为99%,薄膜的晶化率接近70%.而沉积速率却随着氢稀释率的减小而增加,当氢稀释率从99%减小到95%时,薄膜的沉积速率由0.3 nm/s增加至0.8 nm/s.