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朱兴华; 张海波; 杨定宇; 王治国; 祖小涛;
成都信息工程学院光电技术学院,成都610225;
电子科技大学物理电子学院,成都610054;
C/SiC纳米管异质结; 第一性原理 ; 电子结构 ;
机译:(4,4)SiC / C纳米管异质结的结构,机械和电子性能:第一性原理研究
机译:B或/和N掺杂的SiC纳米管的稳定性和电子结构:第一性原理研究
机译:La-Ce掺杂6H-SiC的电子结构和光学性质的第一性原理研究
机译:硅基异质结的电子性质研究:a-Si:H / c-Si和GaP / Si异质结的第一个原理研究
机译:石墨烯单壁碳纳米管结的机械和电子性能的第一性原理研究
机译:Wse2纳米管异质结的传输特性:第一性原理研究
机译:si和siC中点缺陷产生的第一性原理研究
机译:微电子结构,包括氧化铜半导体和改进的P-N异质结
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