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双量子阱结构OLED效率和电流的磁效应

         

摘要

通过结构为ITO/NPB(60 nm)/Alq3∶1 wt%rubrene(20 nm)/Alq3(3 nm)/Alq3∶1 wt%rubrene(20 nm)/Alq3(20 nm)/LiF/Al的双量子阱的黄色有机电致发光器件,研究了不同磁场强度下的发光效率和电流变化特性.研究结果表明该器件的电流是随着磁场强度的增加而单调下降的,显示了器件的电阻是随着磁场强度的增加而增加的.同时也得到了该结构有机发光器件的发光效率的磁效应.当外加磁场强度小于20 mT时,器件的电流效率变化率是随着磁场强度的增加而增加的,最大达到9.13%.当外加磁场强度大于20 mT时,器件的电流效率变化率是随着磁场强度的增加而减少的.

著录项

  • 来源
    《物理学报》 |2010年第9期|6642-6646|共5页
  • 作者单位

    吉林师范大学信息技术学院,四平,136000;

    吉林师范大学信息技术学院,四平,136000;

    吉林师范大学信息技术学院,四平,136000;

    吉林师范大学信息技术学院,四平,136000;

    吉林师范大学信息技术学院,四平,136000;

    吉林师范大学信息技术学院,四平,136000;

    吉林师范大学信息技术学院,四平,136000;

    吉林师范大学信息技术学院,四平,136000;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类
  • 关键词

    量子阱; 磁场; OLED; 磁效应;

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