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背腐蚀法分离p-n结的研究

     
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摘要

采用正面无保护的背腐蚀方法分离p-n结,用SEM图观察了背腐蚀后硅片表面形貌的变化,对背腐蚀与刻边分离p-n结样品的光生电动势进行了比较,用能带理论对其差别做了深入的解释.

著录项

  • 来源
    《太阳能学报》|2007年第2期|165-168|共4页
  • 作者

    刘志刚; 孙铁囤; 苦史伟; 罗培青; 姜维; 徐秀琴; 崔容强;

  • 作者单位

    上海交通大学太阳能研究所,上海,200240;

    上海交通大学太阳能研究所,上海,200240;

    上海交通大学太阳能研究所,上海,200240;

    上海交通大学太阳能研究所,上海,200240;

    上海交通大学太阳能研究所,上海,200240;

    上海交通大学太阳能研究所,上海,200240;

    上海交通大学太阳能研究所,上海,200240;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 TB611;
  • 关键词

    背腐蚀; 光生电动势; 能带;

  • 入库时间 2023-07-25 12:37:52

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