The Pennsylvania State University.;
机译:温度范围为60-300 K的MOS晶体管的工程模型
机译:在60-300 K温度范围内对n沟道MOSFET反转层迁移率和器件特性进行测量和建模
机译:60-300 K温度范围内反演通道迁移率的工程模型
机译:低温下增强模式氮化镓功率场效应晶体管的实验表征
机译:集成硅结场效应晶体管放大器的设计和特性,可在40-77 K的温度范围内工作。
机译:用于温度传感器的碳化硅结型场效应晶体管的特性建模和设计参数辨识
机译:用于温度传感器的碳化硅结型场效应晶体管的特性,建模和设计参数辨识
机译:高场,高温应力氮化镓高电子迁移率晶体管的陷阱表征。