University of Illinois at Urbana-Champaign.;
机译:同质结结构实验确定氮化镓中电子和空穴的碰撞电离系数
机译:用同子结结构实验氮化镓中电子和孔的冲击电离系数
机译:辐照硅冲击电离系数的实验确定
机译:GaN中空穴冲击电离系数和饱和速度的实验确定
机译:砷化镓,磷化铟,砷化铟和锑化镓(半导体,蒙特卡罗,碰撞电离)中电子和空穴的高能输运的理论研究。
机译:镓铟磷化物的表征及铝镓磷化物体系量子阱激光二极管的研究进展
机译:使用InP-GaAsSb-InP双异质结双极晶体管测量磷化铟的电子引发的碰撞电离系数
机译:测量磷化铟弹性常数的温度系数