University of Colorado at Boulder.;
GaN; Gallium nitride; MMIC; Microwave rectifier; Monolithic microwave integrated circuit; Outphasing; Power amplifier; X-band;
机译:具有动态功率控制的45 nm LP CMOS变压器组合31.5 dBm相移功率放大器,可提高后退功率效率
机译:一种功率重用技术,可提高移相微波功率放大器的效率
机译:具有45nm CMOS效率和输出功率增强电路的29.5 dBm E类同相RF功率放大器
机译:采用45nm CMOS的31.5dBm相移D类功率放大器,通过动态功率控制提高了退避效率
机译:射频功率放大器的效率增强技术
机译:功率放大器具有大型高效范围的5G通信
机译:非线性功率放大器迎靠和IDP技术的能效比较