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【24h】

Suppression of Electronic Defects at the Oxide-SiGe Interface Using Intuitive and Counter-Intuitive Techniques

机译：使用直观和反向直观技术抑制氧化物-SiGe接口的电子缺陷

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作者
Kavrik, Mahmut Sami.;
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作者单位

University of California San Diego.;

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授予单位 University of California San Diego.;
学科
学位 Ph.D.
年度 2019
页码 155 p.
总页数 155
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类 AAI13426386;
关键词
Oxide-SiGe; SiGe; pFETs;

机译：氧化物说;说;PFET.;

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