Illinois Institute of Technology.;
Mitigation techniques; Parasitic inductances; Power semiconductor; SiC MOSFET; Switching oscillation; Wide bandgap devices;
机译:高密度功率转换和宽带隙半导体功率电子开关器件
机译:同时消除宽带隙功率半导体的EMI关键振荡并降低开关损耗的直接方法
机译:宽带隙(WBG)半导体功率开关器件的现状和新兴趋势
机译:宽带隙(WBG)半导体功率开关器件的功率处理能力
机译:下一代电力电子宽带隙半导体器件的基于综合行为和物理学建模
机译:用于中频到高功率应用的宽带隙半导体开关装置的驱动电路综述
机译:使用GaAs以及宽带和超宽带隙半导体的智能功率器件和IC