University of Toronto (Canada).;
Deadtime; Gallium nitride high electron mobility transistor; Gate drive;
机译:三维模拟支持的SiC衬底上AlGaN / GaN多指功率HEMT的先进表征技术和热性能分析
机译:减少5MHz 100W高功率密度LLC谐振DC-DC转换器中的磁通量对GaN-HEMT的影响的电路设计技术
机译:具有F型GaN HEMT功率放大器的自动平均功率偏置控制的预失真二极管线性化技术
机译:使用GaN HEMT增强SiC功率MOSFET的高速硬开关的栅极驱动器的驱动能力
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:用多指架构调制对高功率应用的自终止蚀刻技术常关P-GAN / ALGAN / GAN HEMT的研究
机译:三维仿真支撑的SiC基板上AlGaN / GaN Multifiger功率HEMTS热性能的高级表征技术及分析
机译:考虑陷阱和热效应的GaN / alGaN HEmT E类功率放大器设计。