University of Cincinnati;
机译:深层瞬态光谱和等时退火研究研究n型4H-碳化硅外延层的深层
机译:使用深能级瞬态光谱(DLTS)和Laplace-DLTS(LDLTS)通过3 keV Ar溅射法对掺Sb的Ge中引入的缺陷进行表征
机译:拉普拉斯变换深能级瞬态光谱法解析外延硅中铁相关的深电子陷阱
机译:n型4H-SiC外延层上的高势垒肖特基接触以及通过深能级瞬态光谱(DLTS)研究缺陷能级
机译:恒定电容深层瞬态光谱法研究(100)和(311)B分子束表型砷化镓深层。
机译:自组装分子单层膜对磷掺杂硅的深层瞬态光谱研究
机译:使用深能级瞬态光谱(DLTs)和Laplace-DLTs(LDLTs)通过3keV ar溅射在sb掺杂Ge中引入缺陷的表征