Arizona State University;
机译:蒙特卡洛模拟研究栅极凹陷结构对基于InP的高电子迁移率晶体管中电子输运的影响
机译:In_(0.52)Al_(0.48)As / In_(0.75)Ga_(0.25)As高电子迁移率晶体管在300和16 K时电子输运的蒙特卡洛模拟
机译:蒙特卡罗模拟研究In_(0.52)Al_(0.48)As / In_(0.53)Ga_(0.47)As高电子迁移率晶体管栅-漏极间距的影响
机译:电子迁移率计算的4H-SiC集成蒙特卡洛模拟
机译:通过基于Monte Carlo粒子的器件仿真对GaN高电子迁移率晶体管和热电子晶体管进行建模和设计。
机译:通过Monte Carlo模拟确定初始电子参数的西门子艺术家LinaC 6 MV光子束
机译:基于第一原理计算的Alxga1-XN / GaN晶体管的电子传输性能和Boltzmann-areation Monte Carlo模拟
机译:高电子迁移率晶体管中准二维电子气的monte Carlo研究