North Carolina State University;
机译:用于32 nm互补金属氧化物半导体器件的具有乙硼烷还原钨原子层沉积法的低电阻成核层的新型接触插拔工艺
机译:了解原子层沉积过程中固有的底物选择性:表面制备,羟基密度和金属氧化物组合物在钨ALD期间对核切割机制的影响
机译:通过催化氧活化的区域 - 选择性原子层沉积贵金属的贵金属
机译:使用固有的基材依赖性成核以促进金属和金属氧化物选择性区域原子层沉积
机译:金属氧化物的原子层蚀刻和金属氟化物的原子层沉积。
机译:通过在3D金属支架上通过原子层沉积(ALD)制备的高性能共形层状硫化锡(SnSx)对高性能超级电容器电极的活性增强
机译:通过催化氧气活化在贵金属上的金属氧化物的区域选择性原子层沉积
机译:原子层沉积氧化物表面贵金属的成核与生长