University of Arkansas.;
机译:由nm-硼和μm-硼合成的未掺杂,甘氨酸掺杂以及铜和甘氨酸共掺杂的MgB_2的临界电流密度比较
机译:硼扩散对(111)硅-氧化硅界面处缺陷密度和复合的影响
机译:快速热退火过程中重掺杂硼的切克劳斯基硅中的硼失活:了解原子能级
机译:掺硼晶体硅中铁-硼对的重组参数
机译:硅和硅锗薄膜生长的动力学研究:气体表面反应性,锗表面偏析以及原子氢同时发生的影响。
机译:n硅与原子薄硼层之间的无掺杂结形成机理
机译:净掺杂,过量载流子密度和退火对补偿N型硅硼氧相关缺陷密度的影响
机译:半导体测量技术:磷和硼掺杂硅的电阻率和掺杂浓度之间的关系