Purdue University;
机译:纳米尺度多栅极MOSFET的基于物理的分析建模
机译:纳米MOSFET的基于物理的紧凑模型-第二部分:简并性对传输的影响
机译:基于物理的纳米级MOSFET紧凑模型-第一部分:从漂移扩散到弹道传输的过渡
机译:使用III-V型化合物半导体通道对纳米级n-MOSFET进行建模:从带结构,静电和传输的高级模型到TCAD
机译:在纳米级增强模式三栅极III-V MOSFET中建模量子和库仑效应
机译:具有位置载流子散射相关性的准弹道漏电流电荷和电容模型对纳米级对称DG MOSFET有效
机译:纳米mOsFET中载流子传输的基本物理