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机译:通过电镀控制(100)取向锗中的剥落。
Crouse, Dustin Ray.;
Colorado School of Mines.;
机译:通过电镀可控制的(100)取向剥落中增加的断裂深度范围
机译:通过剥落断裂控制(100)基于GaAs的器件的剥离
机译:CDMS [100]和[111]锗探测器的比较
机译:面向(100)的GaAs中的工程控制剥落,可重复使用晶圆
机译:(100)砷化镓中的剥落断裂行为。
机译:通过共面和非共面X射线衍射表征在(011)和(111)取向硅上生长的锗层中的位错
机译:CDms [100]和[111]取向锗探测器的比较
机译:包含嵌入式剥落释放平面的III类氮化物的受控剥落
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