University of Illinois at Urbana-Champaign.;
机译:非晶硒中依赖于温度和场的有效漂移迁移率和碰撞电离系数的机理
机译:空穴传输材料4,4'-N,N'-二咔唑-联苯的电子结构和空穴漂移迁移率的理论研究
机译:非晶电介质SiC薄层中热化和高能空穴的漂移迁移率
机译:非晶态硒在高场中与温度和场相关的有效空穴迁移率的建模
机译:氢化非晶硅基材料中的电子漂移迁移率测量和导带尾态(锗和碳合金的影响)。
机译:无参数多尺度模拟实现多边界轨道有机非晶系统中空穴和电子迁移率的定量预测
机译:空穴传输材料中准平面分子的顶部π堆叠:在非晶膜中诱导各向异性载流子迁移。
机译:非晶半导体纳秒级时间飞行方法和时间依赖性光传输的漂移迁移:1985年5月1日至1986年4月30日期间的年度报告