Carleton University (Canada).;
机译:采用0.18μm双极CMOS-DMOS技术优化横向双扩散MOS晶体管,适用于宽电压应用
机译:n-p-n双扩散多晶硅发射极双极晶体管中的氟效应
机译:双扩散渐变SiGe基双极晶体管
机译:结合氧化物和扩散隔离结构制造的双极晶体管的特性和建模
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:具有增强的双栅极和部分P埋层的超低比导通电阻横向双扩散金属氧化物半导体晶体管
机译:双扩散双极晶体管的建模与表征。