Stanford University.;
机译:采用0.18μm双极CMOS-DMOS技术优化横向双扩散MOS晶体管,适用于宽电压应用
机译:利用数值模拟研究设计工艺因素对横向双扩散MOS晶体管电导率和击穿电压的影响
机译:DMOS晶体管双扩散沟道直流漏电流-电压关系的解析模型
机译:多边双扩散场环在超高压器件MOS晶体管设计中的应用
机译:双扩散MOS功率晶体管结构的分析与优化
机译:用于高频和医疗设备的垂直双扩散金属氧化物半导体(VDMOS)功率晶体管结构的优化
机译:ESD击穿条件下双扩散MOS(DMOS)晶体管的研究
机译:上海无线电厂14.全国第一家专注于mOs集成电路的无线电厂。理想的半导体器件,场效应晶体管和mOs集成电路。