University of Massachusetts Lowell.;
机译:利用N型GaN深度缺陷的Ni / GaN肖特基屏障抗冲击电离电离电离电离电离电离的性能
机译:HgCdTe雪崩光电二极管中碰撞电离的数值分析
机译:GaAs / Algaas楼梯雪崩光电二极管的优化算用于电子和孔冲击电离
机译:GaN碰撞电离雪崩瞬态(IMPATT)二极管的演示
机译:Ⅲ-Ⅴ族复合雪崩光电二极管中碰撞电离的蒙特卡罗模拟。
机译:将金属合金中的塑性变形带传播为临界雪崩
机译:基于P-Si / I-ZnO / N-Azo雪崩光电二极管的ZnO冲击电离系数的表征
机译:(100) - ,(110) - 和(111) - 取向的Inp雪崩光电二极管中的撞击电离。