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Surface chemistry study of the direct synthesis of methylchlorosilanes: Reaction of methyl + chlorine monolayers on copper silicide surfaces.

机译:直接合成甲基氯硅烷的表面化学研究:硅化铜表面上的甲基+氯单层反应。

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摘要

The direct synthesis of methylchlorosilanes, in particular dimethyldichlorosilane, from the copper catalyzed reaction of methyl chloride and silicon, forms the basis of the silicone industry. This high pressure heterogeneous catalytic reaction has been carried out for the first time under ultrahigh vacuum (UHV) conditions by generating surface bound CH;The reaction of methyl groups alone with copper silicide surfaces, in the absence of chlorine, produces mainly trimethylsilane. The surface Cu/Si ratio, determined by AES and low energy ion scattering (LEIS) spectroscopy, decreases with increasing annealing/sputtering temperature. The resulting change in silicon surface enrichment has a significant effect on reaction kinetics. Two distinct types of active sites are present on copper silicide surfaces for trimethylsilane formation. The reaction rate associated with Cu-rich sites is more than 5 orders of magnitude higher than that with Si-rich sites. The reaction of chlorine alone, in the absence of methyl groups, on Cu;The reaction of methyl + chlorine monolayers with Cu
机译:由铜在氯甲烷和硅的催化反应下直接合成甲基氯硅烷,特别是二甲基二氯硅烷,构成了有机硅工业的基础。这种高压非均相催化反应是在超高真空(UHV)条件下通过生成表面键合的CH首次进行的;仅甲基与硅化铜表面的反应在无氯的情况下主要生成三甲基硅烷。由AES和低能离子散射(LEIS)光谱确定的表面Cu / Si比随退火/溅射温度的升高而降低。硅表面富集的结果变化对反应动力学有重要影响。硅化铜表面上存在两种不同类型的活性位点,用于形成三甲基硅烷。与富铜位点相关的反应速率比富硅位点的反应速率高5个数量级。在没有甲基的情况下,单独的氯在铜上的反应;甲基+氯单层与铜的反应

著录项

  • 作者

    Sun, Dong-Hong.;

  • 作者单位

    Columbia University.;

  • 授予单位 Columbia University.;
  • 学科 Physical chemistry.
  • 学位 Ph.D.
  • 年度 1997
  • 页码 175 p.
  • 总页数 175
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
  • 关键词

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