University of Virginia.;
机译:NBTI / PBTI对时序控制电路的影响以及纳米级CMOS SRAM中的耐劣化设计
机译:纳米级SRAM设计的位单元优化和电路技术
机译:具有纳米级双栅极SOI MOSFET的6-T SRAM单元设计:源/漏工程和电路拓扑的影响
机译:纳米级CMOS SRAM写复制电路的时序控制性能下降和NBTI / PBTI容错设计
机译:用于纳米级CMOS的新颖的耐变化的9T SRAM设计。
机译:用于溶液核磁共振的纳米级磷脂双层膜的设计与制备的优化
机译:具有纳米级双门SOI MOSFET的6-T SRAM单元设计:源/排水工程和电路拓扑的影响