Indiana University of Pennsylvania.;
机译:硅(001)和3℃碳化硅(001)的立方镓氮化物的选择性面积生长
机译:3C-碳化硅替代4H-碳化硅在功率二极管中的适用性
机译:3C-碳化硅中碳空位相关中心:负-U性质和结构转型
机译:具有范围的3C-碳化硅(SIC)的物理参数评价电力二极管材料的适用性作为4H-SiC的替代品
机译:应变3C-碳化硅/硅异质结构的电性能。
机译:用于时序和频率参考的3C碳化硅微谐振器
机译:用于定时和频率参考的3C-碳化硅微谐振器