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第一章 绪论
第二章 半导体量子点材料生长的基本理论和背景知识
第三章 基于格林函数法的应变自组织低维材料的应变分布计算
第四章 蒙特卡罗模拟外延薄膜材料的生长
第五章 后续工作及展望
致谢
攻读硕士学位期间发表的论文
封强;
北京邮电大学;
自组织量子点; 外延生长; 格林函数; 动力学蒙特卡罗方法; 半导体材料; 应力应变;
机译:应变诱导的半导体量子点的垂直自组织:计算研究
机译:半导体介质栅叠层中界面应变引起的自组织。 I.Si-SiO2界面处的应力消除
机译:任意形状自组织量子点应变分布的解析计算
机译:半导体量子点和量子线的路径积分蒙特卡罗模拟。
机译:过渡金属二卤化物原子成核-生长过程的范德华外延动力学蒙特卡罗模拟方法
机译:自组织应力源的应变诱导量子点
机译:应变半导体量子点中的集合相互作用
机译:自组织量子点制造方法和量子点半导体结构
机译:通过将应力应用于半导体层,半导体器件,方法和方法,包括半导体层,包括半导体层,用于支撑半导体层的多孔层以及用于对半导体层进行应变的应变诱导区域的半导体基质。
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