MWECR CVD制备a-Si：H薄膜光稳定性研究

摘要

本文主要对MW-ECRCVD系统沉积的a-Si：H薄膜进行了一系列的光电特性的测试研究工作。通过分析Layer-By-Layer方法、化学退火法不同的制备工艺条件对薄膜光电特性的影响，得到合理化的制备工艺条件，以期将非晶硅优良光电特性与微晶硅的高稳定性相结合，从而制备高光敏性和低光致衰退性的非晶硅薄膜。文章分析了采用LBL方法的制备工艺条件对氢化非晶硅薄膜的光敏性的影响。Layer-By-Layer方法的制备工艺条件很多，在以往实验和理论分析的基础上，介绍了对光敏性影响最为重要的工艺条件：1、循环次数的影响，实验表明随着循环次数地增加，光敏性变差；2、H稀释比的影响，随着H稀释比的不断增加，H对生长表面的轰击不断增强，这些轰击能优先消除高能缺陷结构而留下稳定的结构，从而使生长层结构致密，减少缺陷态密度，提高薄膜的光敏性。

目录

文摘

英文文摘

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第1章 绪论

第2章 HW MWECR CVD沉积系统

第3章 a-Si：H薄膜的光电特性

第4章 a-Si：H薄膜光致衰退的研究

结论

参考文献

攻读硕士学位期间发表的学术论文

致谢