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基于极化调控的GaN基增强型HEMT器件研究

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2.4 本章小结

第五章 基于铁电转移工艺的PZT/AlGaN/GaN HEMT

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  • 作者

    陈丽香;

  • 作者单位

    西安电子科技大学;

  • 授予单位 西安电子科技大学;
  • 学科 材料科学与工程;材料物理与化学
  • 授予学位 博士
  • 导师姓名 马晓华;
  • 年度 2019
  • 页码
  • 总页数
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 V41V24;
  • 关键词

  • 入库时间 2022-08-17 11:23:00

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