声明
摘要
第一章绪论
1.1引言
1.2半导体光电催化
1.2.1半导体光电催化的基本原理
1.2.2半导体光电催化的材料选择
1.2.3半导体光电催化的性能评估
1.3半导体钒酸铋
1.3.1钒酸铋概述
1.3.2钒酸铋的合成
1.3.3钒酸铋的改性
1.4本论文的选题依据和研究内容
1.4.1选题依据
1.4.2研究内容
1.5本论文的表征和测试手段
1.5.1场发射扫描电镜(FESEM)
1.5.2透射电子显微镜(TEM)
1.5.3高分辨透射电子显微镜(HRTEM)
1.5.4 X射线衍射仪(XRD)
1.5.5激光拉曼显微镜(Raman)
1.5.8X射线光电子能谱(XPS)
1.5.9傅里叶变换红外光谱(FTIR)
1.5.10电化学工作站(CHI660E)
第二章设计功能界面提升BiVO4光阳极水氧化效能
2.1引言
2.2样品制备与表征
2.2.2制备方法
2.2.3表征手段
2.2.4光电化学和电化学测试
2.3结果与讨论
2.3.1 CoFe-LDH/Co3O4/BiVO4电极结构的设计建立
2.3.2 CoFe-LDH/Co3O4/BiVO4电极的形貌与微结构
2.3.3 CoFe-LDH/Co3O4/BiVO4电极的光电化学性能
2.3.4 CoFe-LDH/Co3O4/BiVO4电极的光电化学性能增强机制
2.3.5 CoFe-LDH/Co3O4/BiVO4电极的量子动力学研究
2.4本章小结
第三章缺陷活化表面提升BiVO4光阳极水氧化效能
3.1引言
3.2样品制备与表征
3.2.1实验材料
3.2.2制备方法
3.2.3表征手段
3.2.4光电化学和电化学测试
3.2.5密度泛函理论计算
3.3结果与讨论
3.3.1 Ar-BVO电极的形貌、微结构及氧空位表征
3.3.2 Ar-BVO电极的光电化学性能
3.3.3 Ar-BVO电极的氧空位增强表面活性机制
3.4本章小结
第四章总结与展望
参考文献
攻读硕士学位期间获得的成果
致谢
扬州大学;