摘要
第一章绪论
1.1忆阻器的起源和定义
1.2忆阻器的分类
1.2.1按开关极性分
1.2.2按导电路径分类
1.2.3按I-V曲线形状分
1.3氧化物忆阻器材料和制备工艺
1.3.1氧化锌薄膜忆阻器
1.3.2二氧化钛薄膜忆阻器
1.3.3铜氧化物薄膜忆阻器
1.3.4 三氧化二铝薄膜忆阻器
1.4导电机理
1.5忆阻器和仿生研究
1.6影响忆阻性能的因素
1.7忆阻器研究领域存在的问题
1.8论文研究目的
第二章实验部分
2.1合成原材料及来源
2.2样品制备和测试设备
2.3样品制备方法
2.4样品测试方法
2.4.1忆阻器I-V曲线测试
2.4.2 X射线薄膜衍射
2.4.3扫描电子显微镜
2.4.4透射电子显微镜
2.4.5阻抗分析仪
第三章ZnO薄膜忆阻器
3.1引言
3.2实验过程和结果
3.3器件I-V特性分析
3.4忆阻试验和导电细丝
3.5本章小结
第四章CuO薄膜忆阻器
4.1前言
4.2实验过程和结果
4.3讨论和分析
4.3.1结构分析
4.3.2忆阻性能分析
4.3.3导电机理分析
4.4本章总结
第五章模拟忆阻器导电机理及物理模型
5.1前言
5.2基本理论和实验结果分析
5.2.1实验
5.2.2电接触的影响
5.2.3空间电荷的影响
5.2.4缺陷和杂质的影响及能级模型
5.2.5 Mott转变
5.3忆阻器I-V回线的静电场理论
5.4回滞I-V曲线的物理模型
5.5本章结论
第六章基于模拟忆阻器的仿生模拟和图像识别仿真
6.1引言
6.2忆阻器LTspice建模和仿真
6.3忆阻器神经突触仿生模拟
6.3.1忆阻器的突触可塑性实验和仿真测试
6.3.2 STM到LTM转换
6.3.3学习-遗忘-再学习试验测试
6.3.4成对脉冲促进实验
6.4巴布洛夫喂狗实验
6.5模拟忆阻器在图像识别中的仿真研究
6.5.1手写字符识别
6.5.2忆阻器图像识别原理
6.6本章小结
结论
参考文献
攻读学位期间科研成果
声明
致谢
广东工业大学;