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【6h】

基于金属氧化物的模拟忆阻器导电机理及仿生特性研究

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目录

摘要

第一章绪论

1.1忆阻器的起源和定义

1.2忆阻器的分类

1.2.1按开关极性分

1.2.2按导电路径分类

1.2.3按I-V曲线形状分

1.3氧化物忆阻器材料和制备工艺

1.3.1氧化锌薄膜忆阻器

1.3.2二氧化钛薄膜忆阻器

1.3.3铜氧化物薄膜忆阻器

1.3.4 三氧化二铝薄膜忆阻器

1.4导电机理

1.5忆阻器和仿生研究

1.6影响忆阻性能的因素

1.7忆阻器研究领域存在的问题

1.8论文研究目的

第二章实验部分

2.1合成原材料及来源

2.2样品制备和测试设备

2.3样品制备方法

2.4样品测试方法

2.4.1忆阻器I-V曲线测试

2.4.2 X射线薄膜衍射

2.4.3扫描电子显微镜

2.4.4透射电子显微镜

2.4.5阻抗分析仪

第三章ZnO薄膜忆阻器

3.1引言

3.2实验过程和结果

3.3器件I-V特性分析

3.4忆阻试验和导电细丝

3.5本章小结

第四章CuO薄膜忆阻器

4.1前言

4.2实验过程和结果

4.3讨论和分析

4.3.1结构分析

4.3.2忆阻性能分析

4.3.3导电机理分析

4.4本章总结

第五章模拟忆阻器导电机理及物理模型

5.1前言

5.2基本理论和实验结果分析

5.2.1实验

5.2.2电接触的影响

5.2.3空间电荷的影响

5.2.4缺陷和杂质的影响及能级模型

5.2.5 Mott转变

5.3忆阻器I-V回线的静电场理论

5.4回滞I-V曲线的物理模型

5.5本章结论

第六章基于模拟忆阻器的仿生模拟和图像识别仿真

6.1引言

6.2忆阻器LTspice建模和仿真

6.3忆阻器神经突触仿生模拟

6.3.1忆阻器的突触可塑性实验和仿真测试

6.3.2 STM到LTM转换

6.3.3学习-遗忘-再学习试验测试

6.3.4成对脉冲促进实验

6.4巴布洛夫喂狗实验

6.5模拟忆阻器在图像识别中的仿真研究

6.5.1手写字符识别

6.5.2忆阻器图像识别原理

6.6本章小结

结论

参考文献

攻读学位期间科研成果

声明

致谢

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著录项

  • 作者

    程铁栋;

  • 作者单位

    广东工业大学;

  • 授予单位 广东工业大学;
  • 学科 材料物理与化学
  • 授予学位 博士
  • 导师姓名 唐新桂;
  • 年度 2019
  • 页码
  • 总页数
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 电工基础理论;
  • 关键词

  • 入库时间 2022-08-17 11:21:57

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