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全并行-逐次逼近混合型模数转换器的设计与研究

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摘要

第一章 绪论

1.1 论文研究背景及意义

1.2 国内外研究现状

1.2.1 SAR ADC

1.2.2 Flash ADC

1.2.3 Flash-SAR ADC

1.3 论文的创新之处

1.4 论文的结构安排

第二章 全并行—逐次逼近混合型ADC概述

2.1 全并行(Flash)ADC

2.2 逐次逼近型(SAR)ADC

2.2.1 SAR ADC结构和工作原理

2.2.2 二进制加权电容DAC结构的SAR ADC

2.3 ADC性能参数

2.3.1 静态参数

2.3.2 动态参数

2.4 总结

第三章 全并行—逐次逼近混合型ADC的系统结构

3.1 Flash-SAR混合型ADC的系统结构

3.2 Flash-SAR混合型ADC的工作原理

3.3 Flash-SAR混合型ADC的误差分析

3.3.1 采样保持电路的非理想特性

3.3.2 热噪声

3.3.3 电容的失配

3.3.4 比较器的失调和噪声

3.4 总结

第四章 电荷再分配型DAC开关切换策略研究

4.1 Monotonic开关切换策略

4.2 MCS开关切换策略

4.3 HCSR开关切换策略

4.3.1 高位电容跳过算法的工作原理

4.3.2 高位电容跳过算法的开关切换功耗

4.3.3 高位电容复用算法的工作原理和开关切换功耗

4.4 总结

第五章 一种10bit 100MS/s Flash-SAR混合型ADC的设计与实现

5.1 关键电路设计

5.1.1 采样保持电路设计

5.1.2 比较器设计

5.1.3 异步时钟产生电路

5.1.4 SAR ADC控制逻辑

5.1.5 SAR ADC冗余校准

5.2 系统仿真

5.2.1 ADC输出波形仿真

5.2.2 ADC动态参数分析

5.2.3 ADC性能比较

5.3 总结

第六章 总结与展望

6.1 工作总结

6.2 未来展望

参考文献

攻读硕士学位期间的学术活动及成果情况

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摘要

随着CMOS半导体工艺的迅速发展,数字信号处理技术得到了很大提高。相对于模拟信号,数字信号有着更高的可靠性、简便性以及灵活性等优点,因此数字信号处理已成为现代信号处理的主流方式。模数转换器(Analog-to-Digital,ADC)作为连接模拟信号和数字信号的纽带,需要先将自然界中的模拟信号转换成数字信号后,系统才能利用数字信号处理的方式处理模拟信号。因此,人们对ADC的需求越来越强烈,同时对其研究也日益受到关注。逐次逼近型(successive approximation register,SAR)ADC因其结构简单、功耗低、面积小等优点而获得广泛运用。基于传统结构的N比特SAR ADC每完成一次转换都需要进行N次比较,而每次的比较速度又受限于电容型数模转换器(Digital to Analog Converter,DAC)的建立时间和逻辑控制电路的传递延迟。因此,传统结构的这种缺陷阻碍了SAR ADC向高速高精度领域的发展。全并行模数转换器(Flash ADC)由于结构和工作原理相对简单,因此其转换速度非常高。但是随着ADC位数的增加,其面积和功耗成指数型增长,因此给ADC的高精度设计带来了挑战。全并行—逐次逼近混合型模数转换器(Flash-SAR ADC)是一种将Flash ADC和SAR ADC各自的优点相结合的新型ADC结构,由于其在面积、速度、功耗以及精度方面具有较好的折中,因此得到了广泛的研究。
  本文首先对Flash-SAR ADC的工作原理和系统结构进行了阐述,同时详细分析了其结构中存在的非理想因素,并提出了相应的解决方案。接着,本文在对现有的开关策略进行分析和对比的基础上,提出了一种高位电容跳过与复用的开关策略,从而大幅度优化了电荷再分配型DAC的动态功耗和面积。相对于MCS开关策略,提出的开关策略使电容阵列所需的电容总数减小一半,电平切换功耗降低81.22%。然后,详细介绍了关键电路的设计,并给出了系统仿真结果。最后,本文采用SMIC0.18μm CMOS混合信号工艺设计了一款10位100MS/s Flash-SAR混合型ADC。所设计的ADC采用“3+8”的两极流水线结构,最后通过冗余位数字校准电路得到10位的量化精度。
  电路仿真结果表明:当采样信号的频率为100MS/s,输入信号的频率为48.14453125MHz的满幅正弦差分信号时的输出信号的无杂散波动态范围(SFDR)为75.879dB、信号噪声失真比(SNDR)为61.37dB、有效位数(ENOB)位9.902位;当采样频率为100MS/s,输入信号频率为1.07421875MHz,工艺角为FF时,ADC的SFDR为78.669dB,SNDR为61.839dB,ENOB为9.980bit;当工艺角为TT时,ADC的SFDR为76.201dB,SNDR为61.15dB,ENOB为9.865bit;当工艺角为SS时,ADC的SFDR为76.937dB,SNDR为60.594dB,ENOB为9.773bit。提出的Flash-SAR ADC在1.8V电源电压和Nyquist输入信号下,芯片功耗为2.41mW,品质因数(Figure of merit,FOM)为25.19fJ/conversion-step.

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