声明
第一章 绪论
1.1 研究背景及研究意义
1.2 国内外研究现状
1.2.1 永磁同步电机建模技术研究现状
1.2.2 碳化硅MOSFET开关特性研究现状
1.2.3 PCB板参数提取研究现状
1.3 本文的主要工作与创新
1.4 论文的结构安排
第二章 适用于EMI分析的永磁同步电机建模研究
2.1 基于电机物理结构的建模研究
2.1.1 基于电机物理结构的电机模型参数计算原理
2.1.2 基于电机物理结构的电机模型参数计算过程
2.1.3 基于电机物理结构的电机模型参数确定与验证
2.2.1 VF拟合技术
2.2.2 有理函数的等效电路
2.2.3 基于矢量拟合的电机模型参数确定与验证
2.3 适用于EMI分析的永磁同步电机模型
2.3.1 适用于EMI分析的永磁同步电机建模分析
2.3.2 适用于EMI分析的永磁同步电机模型参数确定与验证
2.4 本章小结
第三章 碳化硅MOSFET开关行为特性及其共模谐波研究
3.1SiC MOSFET在感性负载、理想状态下的开关行为研究
3.1.1SiC MOSFET在理想状态下的开通过程
3.1.2SiC MOSFET在理想状态下的关断过程
3.1.3SiC MOSFET在理想状态下的开关波形与实验验证
3.2寄生参数对SiC MOSFET开关性能的影响
3.2.1电容Cgs对SiC MOSFET开关性能的影响
3.2.2电容Cgd对SiC MOSFET开关性能的影响
3.2.3电容Cds对SiC MOSFET开关性能的影响
3.2.4源极电感Ls对SiC MOSFET开关性能的影响
3.2.5漏极电感Ld对SiC MOSFET开关性能的影响
3.2.6二极管结电容Cf对SiC MOSFET开关性能的影响
3.3 寄生参数提取与动态参数的拟合
3.3.1 寄生参数的提取过程
3.3.2 动态参数的拟合过程
3.4SiC MOSFET在感性负载、非理想状态下的开关行为研究
3.4.1 SiC MOSFET在非理想状态下的开通过程
3.4.2 SiC MOSFET在非理想状态下的关断过程
3.4.3SiC MOSFET在非理想状态下的开关波形与实验验证
3.5SiC MOSFET器件产生共模谐波机理研究
3.5.1 不考虑波形斜率及振荡过程的开关过程谐波机理分析
3.5.2 考虑波形斜率的开关过程谐波机理分析
3.5.3SiC MOSFET开关过程谐波机理分析
3.6 本章小结
第四章 永磁同步电机驱动系统共模传导路径分析与验证
4.1 永磁同步电机驱动系统共模传导路径研究
4.1.1 传输线等效电路
4.1.2 永磁同步电机驱动系统共模传导路径分析与验证
4.1.3 连接方式对电机驱动系统共模传导路径分析的影响
4.2 不同的功率器件对电机驱动系统共模谐波分析的影响
4.2.1 不同的功率器件对系统共模电流分析产生的影响
4.2.2 不同的功率器件对开关过程中的谐波分析产生的影响
4.3 本章小结
第五章 总结和展望
5.1 全文工作总结
5.2 后续工作展望
致谢
参考文献
攻读硕士学位期间取得的成果