SPI接口闪存测试方法及程序开发

摘要

随着科技的快速发展，电子产品在我们的曰常生活中扮演着越来越重要的角色，而芯片技术作为电子产品的核心部分也在高速的发展着。闪存是芯片中发展最快应用最广泛的产品之一，串行接口的闪存以它面积小，成本低和结构简单而被广泛关注，越来越多的芯片供应商都陆续的投入到串行接口闪存的开发当中。(NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND nash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。NOR的特点是芯片内执行(XIP,eXecute In P1ace)，这样应用程序可以直接在nash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。NOR的传输效率很高，在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。 NAND结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于flash的管理和需要特殊的系统接口。)本文主要研究了针对SPI串行接口闪存开发的测试方法和测试程序，在本文中阐述了在开发中碰到的许多与并行接口不同的难题及解决方法。本文主要有七个部分组成：序言部分，介绍了课题背景及开发方向；第二部分介绍了闪存的基本结构及工作原理和SPI接口的基本特性；第三部分介绍了本课题研究的SPI闪存产品的基本功能及内部结构；第四章介绍了针对该产品的测试方法的开发；第五部分介绍了在实现该产品测试方法过程中碰到的具体问题及解决方法；第六部分介绍了产品的流片和验证；最后部分是结论语和未来工作的展望及主要参考文献。在本文中还重点介绍了多种针对SPI串行接口开发的测试方法，比如：高频测试下测试机台的测试精度的问题：我们引用了时钟偏移量的概念；在并行数据转成串行数据的问题中，我们引用了爱德万公司的cycle palette硬件及开发了相应的测试代码来实现；在测试时间的问题中，我们开发了特殊的电路来支持特殊的测试方法：比如，地址自加读操作模式，多存储模块同时写模式，这些测试方法大大缩短了测试时间从而减少了测试成本；在运用特殊测试方法碰到了引脚不够的问题中，设计了引脚复用的电路，还改造了爱德万测试机台的测试头硬件，使其在不同的测试模式下能够切换根据测试需要切换硬件资源等等。这些方法不但已被成功的应用到16MHz的SPI闪存生产的测试当中，还将被应用到32M和64M甚至更高端的SPI产品的测试中，同时也为开发其它串行接口类型的闪存产品提供了很高的参考价值。

目录

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摘要

第一章 序言

1.1 NOR闪存产品的市场分析和发展方向

1.2 Intel公司的市场调查及研发方向

第二章 闪存及SFI接口基础

2.1 闪存内部结构

2.2 SPI接口介绍

2.3 SPI与并口接口的区别

第三章 英特尔开发产品的介绍

3.1内部结构和基本参数

3.2基本功能和时序

3.3芯片的直流参数和其他重要的参数规格

第四章 测试方法的开发

4.1 几种并口和SPI接口常用的测试方法

4.2 几种针对SPI接口开发的测试方法

第五章:测试方法的具体实现的几个重要问题及解决方法

5.1 被采用的测试机台的介绍

5.2 由于测试机台的有限性而产生的几个问题

第六章 产品的流片及验证

第七章 结论语及未来的展望

参考文献