声明
摘要
第1章 绪论
1.1 引言
1.1.1 发光二极管的早期发展
1.1.2 Ⅲ-Ⅴ族复合半导体的发展
1.2 AlGaInP发光二极管的结构和基本性质
1.2.1 AlGaInP四元合金半导体
1.2.2 AlGaInP发光二极管的结构和工作原理
1.3 提高LED光提取效率的方法
1.3.1 图形化结构提高LED光提取效率
1.3.2 光辅助化学腐蚀提高LED光提取效率
1.3.3 其他方法提高LED光提取效率
1.4 研究目的和主要研究内容
参考文献
第2章 利用纳米压痕技术提高AlGaInP发光二极管光提取效率
2.1 引言
2.2 压痕理论及纳米压痕技术
2.2.1 压痕理论
2.2.2 纳米压痕技术及应用
2.3 GaP纳米压痕性质
2.4 在GaP窗口成制备大面积纳米压痕结构
2.4.1 实验步骤
2.5 结果与讨论
2.5.1 大面积周期性纳米压痕结构
2.5.2 纳米压痕结构对AlGaInP LED光电性质的影响
2.6 结论
参考文献
第3章 化学腐蚀辅助提高纳米压痕结构AlGaInP LED光提取效率
3.1 引言
3.2 实验步骤
3.3 结果与讨论
3.3.1 压痕结构
3.3.2 经过腐蚀的纳米压痕结构对AlGaInP LED光电性质的影响
结论
参考文献
第4章 结论与展望
4.1 主要结论
4.2 本论文的创新点
4.3 有待进一步开展的工作
致谢
攻读硕士期间取得的科研成果
山东大学;