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声明
1.绪论
1.1微光成像技术
1.1.1真空微光成像器件的发展与现状
1.1.2微光电荷雪崩图像传感器的发展
1.2研究背景和目的
1.3创新点分析和研究内容
1.3.1本文创新点分析
1.3.2本文的研究内容
2 CCD物理基础
2.1 MOS器件的物理基础
2.1.1埋层沟道MOS器件的物理基础
2.1.2埋层沟道MOS器件的电势分布模型
2.2 CCD的噪声
2.2.1 CCD的噪声类型
2.2.2 CCD的信噪比
2.3 CCD信噪比改善途径
2.3.1 CCD信噪比改善
2.3.2电子倍增CCD概述
2.3.3信噪比评价
2.4本章小结
3 碰撞电离模型
3.1碰撞电离模型
3.1.1碰撞电离阈值
3.1.2碰撞电离率
3.1.3局部场理论
3.1.4非局部场理论
3.1.5散粒噪声抑制理论
3.2高增益模式的增益统计特性
3.2.1倍增寄存器的增益统计模型
3.2.2输出电荷数的概率密度函数
3.3普通增益模式的倍增噪声模型
3.3.1“盲区”效应模型
3.3.2模型验证
3.3.3电子倍增CCD的额外噪声因子
3.3.4倍增噪声的优化
3.4实验与分析
3.4.1电子倍增CCD的测试
3.5本章小结
4 成像模型与模拟
4.1信号电荷转移模型
4.1.1电荷转移模型
4.1.2 MTF测试与分析
4.1.3模型验证
4.2电子倍增CCD的数学模型
4.2.1电子倍增CCD噪声源分析
4.2.2成像模型
4.2.3实验与分析
4.3本章小结
5 光子计数成像原理
5.1光子计数成像原理
5.2电子倍增CCD的光子响应模型
5.2.1电子倍增CCD的连续光子响应特性
5.2.2电子倍增CCD的离散单光子响应特性
5.2.3电子倍增CCD单光子探测的实例分析
5.2.4实例计算结果
5.2.5计算结果分析
5.3单光子探测阈值原理
5.3.1阈值选取原则
5.3.2双重阈值原理
5.3.3 A类集合筛选阈值选取
5.3.4 B类集合筛选阈值选取
5.4本章小结
6.单光子探测与成像实验
6.1单光子探测实验与误差分析
6.1.1实验方案
6.1.2伪光子事件噪声分析
6.1.3光子事件探测效率分析
6.2光子计数成像实验
6.2.1双重阈值在光子计数模式中的应用
6.2.2光子计数成像实验一
6.2.3光子计数成像实验二
6.2.4光子事件频率测试实验
6.3本章小结
7结束语
致谢
参考文献
附录 攻读博士学位期间的学术论文、专利与科研项目
南京理工大学;
电子倍增CCD; 电荷倍增; Markov-扩散方程; Malthusian方程; 幅频响应; 双重阈值; 光子计数成像;