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声明
第1章前言
1.1多孔透波陶瓷的研究现状及进展
1.1.1国内外研究现状
1.1.2多孔透波陶瓷研究展望
1.2氮化硅涂层的研究现状
1.2.1氮化硅涂层的制备工艺
1.2.2氮化硅涂层的研究现状
1.3化学气相沉积(CVD)工艺应用领域
1.3.1化学气相沉积的工作原理
1.3.2化学气相沉积的主要工艺参数
1.4论文工作的提出和研究目的、意义
1.5论文的研究体系和主要研究内容
第2章化学气相沉积氮化硅涂层的过程设计及理论分析
2.1引言
2.2主要化学反应体系
2.3沉积过程热力学分析
2.3.1化学反应的自由能变化
2.3.2化学反应平衡及热力学相图
2.4沉积过程动力学分析
2.4.1气体的输运
2.4.2气相化学反应
2.4.3气体组分的扩散
2.4.4表面吸附及表面化学反应
2.4.5表面扩散
2.5低压化学气相沉积(LPCVD)装置的设计
2.6小结
第3章CVD法制备氮化硅涂层的工艺参数设计、控制及其与显微结构的关系
3.1引言
3.2氮化硅涂层的CVD工艺参数设计
3.2.1基体材料准备
3.2.2 CVD工艺流程设计
3.3表面形貌、化学组成和晶体结构表征
3.4结果与讨论
3.4.1工艺参数对沉积速率的影响
3.4.2工艺参数对表面微观形貌的影响
3.4.3工艺参数对化学组成的影响
3.4.4涂层的化学组成表征
3.4.5工艺参数对晶体结构的影响
3.5小结
第4章多孔石英陶瓷的制备及在该基体上化学气相沉积氮化硅涂层的工艺、结构与性能
4.1引言
4.2多孔石英陶瓷基体材料的制备
4.2.1实验与测试
4.2.2结果与讨论
4.3 CVD工艺参数设计
4.3.1基体材料准备
4.3.2反应体系选择
4.3.3 CVD工艺流程设计
4.4表面形貌、化学组成和晶体结构表征
4.5结合强度、防潮性能、力学性能及介电性能表征
4.6结果与讨论
4.6.1涂层表面微观形貌表征
4.6.2涂层化学组成表征
4.6.3涂层晶体结构表征
4.6.4化学气相沉积工艺参数对涂层附着力的影响
4.6.5涂层防潮性能表征
4.6.6氮化硅涂层对多孔石英陶瓷基体力学性能的影响
4.6.7氮化硅涂层对多孔石英陶瓷基体介电性能的影响
4.7小结
第5章多孔氮化硅陶瓷的制备及在该基体上化学气相沉积氮化硅涂层的工艺、结构与性能
5.1引言
5.2多孔氮化硅陶瓷材料的制备
5.2.1实验与测试
5.2.2结果与讨论
5.3 CVD工艺参数设计
5.3.1基体材料准备
5.3.2反应体系选择
5.3.3 CVD工艺流程设计
5.4表面形貌、化学组成和晶体结构表征
5.5结合强度防潮性能、力学性能及介电性能表征
5.6结果与讨论
5.6.1涂层表面微观形貌表征
5.6.2涂层化学组成表征
5.6.3涂层晶体结构表征
5.6.4化学气相沉积工艺参数对涂层附着力的影响
5.6.5涂层防潮性能表征
5.6.6氮化硅涂层对多孔氮化硅陶瓷基体力学性能的影响
5.6.7氮化硅涂层对多孔氮化硅陶瓷基体介电性能的影响
5.7小结
第6章结论
参考文献
攻读博士期间发表及完成的学术论文目录
致谢