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【6h】

电针对脑缺血大鼠血清血管内皮生长因子及肿瘤坏死因子的影响

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目录

论文说明:英文缩略词表

声明

前言

实验研究

1材料和方法

2实验结果

讨论

1祖国医学对缺血性脑血管病的认识

2取穴依据

3模型评价

4现代医学对脑缺血半暗带的研究

5 VEGF与缺血性脑血管病

6 TNF-α与缺血性脑血管病

7电针时程、刺激参数的选择和评价

8电针对缺血性脑血管病的现代机制研究

结语

参考文献

综述:针刺对实验性动物脑缺血作用机理研究进展

致谢

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摘要

目的:脑血管疾病是指脑血管病变所引起的脑功能障碍,属中医学“中风”范畴,具有发病率高、病死率高、致残率高的“三高”特点,而且,随着人类老龄化,脑血管病的发病渐呈上升趋势。缺血性脑血管疾病占脑血管疾病的 55%~80%。因此,研究和防治缺血性脑损伤,是基础医学和临床医学的重点。随着对中风诊断、抢救水平的提高,其死亡率已大幅度下降,但致残率则明显上升,在我国,其致残率高达 80%。中风偏瘫历来为针灸科常见病,针灸为主综合干预是治疗中风偏瘫疗效较为理想的一种方法。对脑卒中患者采取有效的治疗,是保证他们早日康复的重要措施。脑缺血后,及时恢复缺血区脑组织的血液供应,尤其是缺血半暗带区的血液供应,对于缺血性脑血管病的治疗与预后意义重大。血管内皮生长因子(VEGF)能促进微血管内皮细胞分裂、增殖、迁移,增加血管通透性,促进血管支持物的生成,有利于缺血区血液的供应。肿瘤坏死因子(TNF-α)具有广泛的生物学活性,参与机体的细胞功能调节、免疫和炎症反应等,具有抗血管生成,促进血栓形成,引发血管收缩等作用。本课题在大鼠改良线栓法大脑中动脉栓塞(MCAO)模型的基础上,电针百会、水沟、足三里(双侧)穴,观察电针对MCAO模型大鼠血清中VEGF、TNF-α的影响,探讨电针治疗缺血性脑血管病的可能作用机制,为针灸临床治疗缺血性脑血管病提供一定的实验和理论依据。 方法:健康成年 SD 大鼠100只,雌雄不拘,随机分为正常对照组、假手术组、模型组、电针组;其中,模型组、电针组分别按缺血再灌注后不同时间(1d、2d、4d、8d),分为A、B、C、D四个亚组。采用改良线栓法制备大鼠局灶性脑缺血再灌注(MCAO)模型,参照 Zea-Longa评分标准进行神经功能障碍评分,进行动物筛选。电针百会、水沟、足三里(双侧)穴,采用双抗体夹心酶联免疫分析 (ELISA)法和放射免疫分析法,观察MCAO模型大鼠血清中VEGF、TNF-α的表达。 结果:1.电针组与模型组相比较,脑缺血再灌注大鼠神经缺损症状显著改善(P<0.01)。2.缺血再灌注后,VEGF、TNF-α表达增强(P<0.01)。3.伴随再灌注时间(1d、2d、4d、8d)的延长,各组别模型组和电针组 VEGF 表达均逐渐增强, TNF-α表达均逐渐减弱。4.电针治疗后,与各对应时相模型组比较,VEGF表达明显增强,TNF-α表达明显降低。其中,电针D组与模型D组比较,P<0.01;其余各对应组别P<0.05。 结论:1.电针显著改善脑缺血再灌注大鼠神经缺损症状。2.缺血、缺氧是促使VEGF、TNF-α表达的诱因。3.电针可促进 VEGF 的表达,抑制TNF-α的表达,电针治疗脑缺血的有效途径可能与电针对VEGF、TNF-α的调节有关。

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