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载流子陷阱和激子能量传输对4CzTPN-Ph器件磁效应的调控

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第一章 绪 论

1.1 有机发光二极管简介

1.1.1 有机发光二极管的结构与发光原理

1.1.2 有机发光二极管中常见微观机制

1.2热活化延迟荧光材料简介

1.3有机磁场效应简介

1.4 本工作研究意义及主要内容

第二章 器件的制备与性能测量

2.1 器件的制备

2.1.1 基片清洗

2.1.2 PEDOT: PSS薄膜的制备

2.1.3 有机功能层和金属电极的蒸镀

2.2 器件性能测量

2.2.1 器件发光-电流-电压性能和光谱的测量

2.2.2 器件磁效应的测量

第三章 载流子陷阱对4CzTPN-Ph器件磁效应的调控

3.1 引言

3.2 器件制备

3.3 结果与讨论

3.3.1 器件的基本光电特性

3.3.2 室温下器件的磁效应

3.3.3 室温下Alq3:4CzTPN-Ph器件随掺杂浓度变化的磁效应

3.3.4 Alq3: 5% 4CzTPN-Ph器件随温度变化的磁效应

3.4 小结

第四章 能量传输对4CzTPN-Ph器件磁效应的调控

4.1 引言

4.2 器件制备

4.3 结果与讨论

4.3.1器件的基本光电特性

4.3.2 室温下器件的磁效应

4.3.3 随温度变化的磁效应

4.3.4 随电流和温度变化的低场效应

4.4 小结

第五章 总结与展望

参考文献

攻读硕士学位期间的科研情况

致谢

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