Berkeley Wireless Research Center, Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California, USA;
机译:一个2.8 GS / s 44.6 mW时间交错ADC在65 nm CMOS中实现50.9 dB SNDR和1.5 GHz的3 dB有效分辨率带宽
机译:32-GS / S前端采样电路实现> 39 dB SND,用于65-NM CMOS中的时间交错ADC
机译:14-nm CMOS FinFET中的奈奎斯特(Nyquist)的24-72-GS / s 8-b时间交错SAR ADC具有2.0-3.3pJ /转换和> 30 dB SNDR
机译:2.8gs / s 44.6mw时间交错ADC实现50.9dB的SNDR和3DB在65nm CMO中的1.5GHz的有效分辨率带宽
机译:一个2.8 GS / s 44.6 mW时间交错ADC在65 nm CMOS中达到1.5 GHz的50.9dB SNDR和3dB有效分辨率带宽