The Institute for Solid State Physics, The University of Tokyo, 5-1-5 Kashiwanoha, Kashiwa, Chiba 277-8581, Japan;
THz radiation; semiconductor surface; femtosecond pulse laser; magnetic field; excitation density dependence;
机译:磁场中半导体平板中太赫兹辐射的节拍激发
机译:稀磁半导体中磁激发的太赫兹辐射
机译:高密度激发下InAs表面太赫兹辐射的磁场感应分量的极性反转
机译:高密度激励下磁场中的半导体表面的太赫兹辐射
机译:复合材料表面电磁波的辐射和散射:通过场补偿定理表征表面的电抗
机译:铁磁半导体薄膜中太赫兹脉冲的电场分量引起的超快磁化调制
机译:稀磁半导体中磁激发的太赫兹辐射
机译:磁场中半导体中伪表面极化的理论。