Institute of VLSI Design Zhejiang University Hangzhou China;
Key Laboratory of RF Circuits and Systems Ministry of Education Hangzhou Dianzi University Hangzhou China;
Key Laboratory of RF Circ;
机译:A 167-〜172 GHz 65-NM CMOS Body-Tranged谐波模式电压控制振荡器
机译:采用65 nm CMOS技术的60 GHz,11.7%调谐范围压控振荡器的设计
机译:采用90 nm CMOS技术的140 GHz基本模式压控振荡器
机译:65 nm CMOS中的128.76-129.56 GHz基本电压控制振荡器
机译:基于数控人工介电层的57-65GHz可重配置CMOS mQAM发射机和变压器耦合功率放大器
机译:CMOS电压控制振荡器的开关偏置技术
机译:采用90nm CMOS技术的140GHz基本模式压控振荡器