Interdisciplinary Graduate School of Science and Engineering, 4259-S2-20 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama, 226-8502, Japan;
School of Pure and Applied Sciences, Univ. of Tsukuba, 1-1-1 Tennodai, Tsukuba, 305-8571, Japan;
Frontier Research Center, Tokyo Institute of Technology, 4259-S2-20 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama, 226-8502, Japan;
School of Pure and Applied Sciences, Univ. of Tsukuba, 1-1-1 Tennodai, Tsukuba, 305-8571, Japan;
Interdisciplinary Graduate School of Science and Engineering, 4259-S2-20 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama, 226-8502, Japan;
机译:碳化硅纳米线的电子结构,光学性质和电导率
机译:化学浴在硅基底上沉积的p-CuO和n- ZnO纳米线的光学和电子特性:p-CuO / n-ZnO纳米线具有高开路电压和短路电流的太阳能电池
机译:使用多晶硅电阻加热划痕测试结构对n和p沟道MOS晶体管的偏置温度不稳定性进行评估
机译:N型和P沟道纳米线 - FET中硅纳米线的电子结构分析
机译:锗/硅异质结构纳米线和III-V组纳米线,用于低功率高性能纳米电子学。
机译:从头算计算硅纳米线矩阵的电子结构
机译:Hartree近似硅M.S.的P沟道反转层的电子结构。
机译:基于sb的n和p通道异质结构FET,适用于高速,低功耗应用。