GLOBALFOUNDRIES, Wilschdorfer Landstrasse 101, 01109 Dresden, Germany;
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GLOBALFOUNDRIES, 60 Woodlands Industrial Park D Street 2, Singapore 738406;
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机译:Sio.55Geo.45无植入量子阱pFET的凸起和嵌入式SiGe源/漏结构之间的可扩展性比较
机译:具有原位掺杂SiGe的高性能部分耗尽SOI PFET提高了源极/漏极和无植入扩展
机译:嵌入外延SiGe的p沟道场效应晶体管的源漏腔结构,可增强性能
机译:嵌入式SiGe源/排水管的研究28NM HKMG PFET性能增强
机译:用于具有源/漏扩展的N型增强型氮化镓基肖特基势垒MOSFET的高级源极注入器
机译:使用隧道FET中的SiGe源/漏区提高ESD保护的鲁棒性
机译:具有高GE分数的高性能PMOSFET应变SiGE-异质结构 - 通过选择性B掺杂SiGE CVD形成的超肺源/漏极