Department of Computer Science, Faculty of Mathematics and Computer Science, West University of Timisoara, Blv. V. Parvan 4, Timisoara-300223, Romania;
dewetted bridgman technique; single crystal growth; semiconductors; stability; computer simulation;
机译:在压差范围内,以确保在地面去湿的布里奇曼晶体中生长的半导体晶体具有规定的间隙尺寸
机译:半月板在独立Bridgman生长中的静态稳定性
机译:脱丝桥工艺中出现毛细管自由表面的存在和静态稳定性。 第I部分。
机译:脱韦尔格曼技术生长半导体晶体的静态稳定性
机译:垂直坩埚旋转加速坩埚技术在垂直布里奇曼生长的铟镓铟中的溶质再分布和组织过冷效果。
机译:改进的垂直布里奇曼法利用ACRT技术生长In掺杂的CdMgTe晶体的研究
机译:使用垂直Bridgman-stockbarger方法生长的用于半导体辐射探测器应用的TlBr单晶的特征
机译:用于分析Bridgman生长半导体晶体的改进蚀刻和蚀刻方法的测试和进一步开发,重点是铅 - 锡 - 碲化物