ULVAC Coating Corporation 2804 Terao, Chichibu, Saitama 368-0056 Japan;
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机译:使用无定形Al_2O_3-ZrO_2-SiO_2复合薄膜的ArF线高透射率衰减相移掩模坯料,用于65、45和32 nm技术节点
机译:用于ArF线高透射衰减相移掩模空白应用的(TiO2)(ZrO2)(x)-(Al2O3)(1-x)复合薄膜的光学模拟,优化设计和制造
机译:使用感应耦合等离子体(ICP)的极紫外蚀刻(EUVL)的交替相移掩模(PSM)结构的高度选择性干法蚀刻
机译:用于ARF PSM的Quartz 9英寸尺寸掩模空白(相移掩模)
机译:用于相移掩模设计的广义逆光刻方法。
机译:重新检查掩膜相曲率对非同时掩膜的影响
机译:极端紫外线的减毒相移掩模:它们是否可以减轻三维掩模效果?