Semiconductor International Manufacturing Corportion, 18 Zhangjiang Road, PuDong New Area, Shanghai, P.R.C.;
inverse lithography technology (ILT); OPC; RET; lithography; SRAM; 65nm technology;
机译:将干式193 nm光刻技术推向极限
机译:反光刻技术的双图形掩膜生成方法
机译:纳米压印光刻技术-下一代大体积光刻技术,用于将MEMS技术过渡到纳米制造
机译:推动光刻限制 - 在65nm生成中施加逆光刻技术(ILL)
机译:下一代光刻中的设计技术共同优化。
机译:胶体光刻法制备湿敏性聚乙二醇逆蛋白石微图案
机译:利用单一计算光刻框架优化从设计规则,源和掩模到全芯片:基于水平集方法的逆光刻技术(ILT)