Department of Electronic and Information Engineering The Hong Kong Polytechnic University, Hong Kong;
flicker noise; GaN; UV detectors; double buffer layer structure; radiation hardness; molecular beam epitaxy;
机译:在Si基板上制备具有AlN / GaN缓冲层的GaN基UV光电二极管的低频噪声特性
机译:氧化铟锡/ GaN可见盲紫外探测器的制备与表征
机译:高性能非极性A平面GaN的金属半导体 - 金属UV照片探测器,由Laalo3基板制成
机译:使用双缓冲层结构制造的GaN的可见盲紫外探测器的低频噪声特性
机译:纳米图案化硅上金属有机气相外延生长的(211)B碲化镉缓冲层的生长和表征,用于基于碲化汞的红外探测器。
机译:化学浴和表面沉积法制备Cu(InGa)Se2太阳能电池板(CdZn)S缓冲层的比较研究
机译:使用双缓冲层结构制造的GaN基可见光UV检测器的低频噪声表征