Institute of Experimental Physics, Otto-von-Guericke-University Magdeburg, Germany;
rnInstitute of Experimental Physics, Otto-von-Guericke-University Magdeburg, Germany;
rnInstitute of Experimental Physics, Otto-von-Guericke-University Magdeburg, Germany;
rnInstitute of Experimental Physics, Otto-von-Guericke-University Magdeburg, Germany;
rnInstitute of Experimental Physics, Otto-von-Guericke-University Magdeburg, Germany;
rnInstitute of Experimental Physics, Otto-von-Guericke-University Magdeburg, Germany;
rnInstitute of Experimental Physics, Otto-von-Guericke-University Magdeburg, Germany;
rnInstitut für Halbleiteroptik und Funktionelle Grenzflächen, Stuttgart University, Germany;
rnInstitut für Halbleiteroptik und Funktionelle Grenzflächen, Stuttgart University, Germany;
rnInstitut für Halbleiteroptik und Funktionelle Grenzflächen, Stuttgart University, Germany;
机译:使用扫描透射电子显微镜阴极发光法对微腔中堆叠的单个InGaN / GaN量子阱进行纳米级发光表征
机译:使用扫描透射电子显微镜阴极发光法对微腔中堆叠的单个InGaN / GaN量子阱进行纳米级发光表征
机译:核壳GaN纳米线中InGaN / GaN量子阱的阴极发光和扫描透射电子显微镜研究
机译:直接在扫描透射电子显微镜中进行的单个GaN量子点的高度空间分辨阴极发光
机译:扫描电子显微镜中同时进行的明场和暗场扫描透射电子显微镜:一种分析聚合物系统形态的新方法。
机译:使用近场扫描光学显微镜和相关分析研究带有V坑的InGaN / GaN量子阱中的载流子定位和转移
机译:通过扫描透射电子显微镜通过掩埋晶体界面中单掺杂剂原子的直接成像