CEA, LETI, MINATEC Campus, 17 rue des Martyrs, 38054 GRENOBLE Cedex 9, France;
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Deep silicon etching; biology MEMS; microfluidics; DRIE; aspect ratio;
机译:深度反应离子蚀刻参数对具有高纵横比极深硅蚀刻工艺蚀刻速率和表面形态的影响:
机译:应对硅MEMS器件的深层硅蚀刻挑战
机译:工艺参数对深硅刻蚀中侧壁损伤的影响
机译:生物学MEMS制造的深硅蚀刻:对过程参数的回顾影响与芯片设计
机译:优化了用于MEMS旋转发动机动力系统的超深反应离子刻蚀硅组件的制造。
机译:陀螺仪应用玻璃硅MEMS制造技术的关键工艺
机译:具有传统电感耦合等离子体(ICP)蚀刻器的深硅蚀刻工艺的开发